Компания Hynix Semiconductor с гордостью заявила о разработке чипов памяти DRAM GDDR5 плотностью 2 Гбит, производимых по нормам технологии 40 нм. Такие чипы будут применяться в графических ускорителях и игровых консолях нового поколения.
При рабочем напряжении 1,35 В, микросхема потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с аналогичными продуктами, изготавливаемыми по нормам 50 нм. Благодаря использованию 32-разрядной шины ввода-вывода и скорости передачи данных 7 Гбит/с, пропускная способность памяти составляет 28 ГБ/с.
По словам корпорации, массовый выпуск изделий запланирован на вторую половину 2010 года.
При рабочем напряжении 1,35 В, микросхема потребляет на 20% меньше энергии в сравнении с аналогичными продуктами, изготавливаемыми по нормам 50 нм. Благодаря использованию 32-разрядной шины ввода-вывода и скорости передачи данных 7 Гбит/с, пропускная способность памяти составляет 28 ГБ/с.
По словам корпорации, массовый выпуск изделий запланирован на вторую половину 2010 года.
В Planar придумали применение прозрачным жидкокристаллическим дисплеям